플라즈마 다이싱

플라즈마 다이싱을 위한 Mosaic™ System

DRIE(딥 반응성 이온 식각) 처리법을 이용한 플라즈마 다이싱은 톱날이나 레이저를 사용한 기존 개별화 방법을 성공적으로 대체할 것으로 전망되면서 반도체 산업 내에서 빠르게 수용되고 있습니다.

플라즈마 다이싱은 고객사에게 아래와 같은   이점을 제공합니다.

  • 향상된 생산량으로 웨이퍼당 다이 생산량 최대 80% 증가
  • 고수율에서 최대 100% 더 강력한 다이 생산
  • 다이 레이아웃 및 설계의 유연성

플라즈마 다이싱은 연마 처리 전   깊은 다이싱 레인으로  웨이퍼가 식각되고 최종 후면 연마 작업을 통해 개별화되는 작업을 수행하거나 

연마 처리 후  테이핑된 프레임 또는 캐리어에 장착된 박형 웨이퍼를 DRIE 를 사용하여 식각을 수행 할 수 있습니다.  
플라즈마 다이싱은 솔더 범프 및 백사이드  금속과 호환되며 Mosaic™ 플라즈마 다이싱 솔루션은 다양한 다이싱 프레임과 테이프에서 표준/박형/TAIKO 웨이퍼와 웨이퍼 조각에 성공적으로 DAG(Dicing After Grind)를 수행하는 것으로 입증되었습니다.

개별화된 다이 이미지:

 

플라즈마 다이싱에 관한 자세한 내용은 여기를 클릭해 확인해 주십시오.

Rapier-S 프로세스 모듈이 포함된 Mosaic™ 플랫폼은 식각 시스템으로, 대량 생산 환경에서 최대 200mm 프레임 웨이퍼의 플라즈마 다이싱을 위해 설계되었습니다.  
대형 Rapier-300S 모듈은 300mm 프레임 웨이퍼와 호환됩니다.

  • Mosaic 플랫폼은 Omega, Sigma 및 Delta 제품을 위한 기존 SPTS 플랫폼 제품군을 기반으로 개발되었습니다.
  • Rapier-S/Rapier-300S 시스템은 프레임 기판에 DRIE 기능을 도입한, Rapier DRIE 제품 라인의 진화입니다.
  • Rapier-S/Rapier-300S를 통해 높은 처리량을 달성했습니다. Bosch 프로세스의 유연성은 최대 “웨이퍼 두께 전체”에 달하는 좁고 높은 종횡비의 레인으로 식각할 수 있는 기능을 제공합니다.

SPTS의 Sentinel™ 엔드포인트 감지 시스템(특허 출원 중)은 식각이 처음으로 다이싱 테이프에 닿는 지점을 감지할 뿐만 아니라 프로세스 중 냉각 기능의 손실도 감지합니다. 식각이 끝나는 시점 에서는 실리콘/테이프 인터페이스에서 다이 측벽에 손상을 유발하지 않고 다이 분리를 완료할 수 있도록 프로세스가 조정될 수 있습니다. 이 제어 기능은 기존 개별화 방법에 비해 다이 강도가 향상되도록 보장합니다. 또한 엔드포인트 감지 기능의 사용은 테이프를 보호하여 개별화된 다이가 안전하게 취급되고 테이프 프레임이 재사용될 수 있도록 보장합니다.

제품 이미지:

Mosaic™  System for Plasma Dicing

Mosaic™ System for Plasma Dicing

The Mosaic™ platform with Rapier-S process modules, is as etch system, designed for plasma dicing of framed wafers up...

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