電漿切割


適用於電漿切割的 Mosaic™ 系統


採用深層反應式離子蝕刻 (DRIE) 制程的電漿切片迅速獲得半導體產業的認可,成為使用鋸片或雷射的傳統分離方式的可行替代方案。

電漿切割可以為使用者帶來諸多優勢

  • 產能更高,每個晶圓產出的芯片可以提升最多 80%
  • 良率更高,芯片強度可以提升最多 100%
  • 靈活的芯片佈局及設計。

電漿切割可以在研磨前進行,此時會將晶圓中的切割道做深度蝕刻,並且透過最終晶背研磨作業來分離芯片,或是在研磨後進行,此時會將磨薄後的晶圓裝載在捲帶架或載體上,而使用 DRIE 進行蝕刻。

電漿切割與錫鉛凸塊和晶背金屬相容,而且 Mosaic™ 電漿切割解決方案也已經在許多切割架及捲帶上成功證明可以在標準/薄/TAIKO 晶圓及晶圓片上進行「研磨後切割」。
分離的芯片影像:
    
 
 
 
 按一下此處以瞭解關於電漿切割的詳情


 配備 Rapier-S 制程模組的 Mosaic™ 平台作為一款蝕刻系統,專門針對量產過程中200mm 的晶圓進行電漿切割而設計。較大型的 Rapier-300S 模組可以處理300mm的晶圓。

  • Mosaic 使用的平台以適用於 Omega、Sigma 及 Delta 產品的 SPTS 現有系列的平台為基礎。
  • • Rapier-S/Rapier-300S 系統 Rapier DRIE 產品線的一項變革,將 DRIE 功能引進框架式基板。
  • • 利用 Rapier-S/Rapier-300S 可以實現高產能。Bosch 工藝的彈性可以蝕刻狹窄、高深寬比的切割道,甚至最高「整片晶圓厚度」的切割。

SPTS 的 Sentinel™ 端點偵測系統 (專利申請中) 可以偵測蝕刻切割達到膠帶時的時間點,同時也會偵測工序期間因為自動冷卻而造成的任何損失。在端點處,可以修改工序以完成芯片分離,而不會造成矽/膠帶介面上芯片側壁的側面損毀。與現有分離方式相比,這項控制可以確保改善芯片強度。使用端點偵測也能保護膠帶,可以確保安全地處理分離的芯片,並且重複使用膠帶框架。
產品影像:


 

Mosaic™  system for plasma dicing

Mosaic™ system for plasma dicing

The Mosaic™ platform with Rapier-S process modules, is an etch system, designed for plasma dicing of framed wafers up...

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