PECVD

MEMS 应用需要使用广泛的介电质薄膜类型,而且随着 MEMS器件变得越来越复杂,其要求也更加严格。SPTS 的 PECVD工艺腔体可以提供 SiO、SiN 和非晶硅薄膜的沉积,这些薄膜专为满足 MEMS 制造商的需求而开发。
 
SPTS PECVD 的优势:
  • SiOx 和 SiN 高沉积速率
  • TEOS 可提高台阶覆盖率
  • 通过双 RF (高频和低频)射频源进行应力调整
  • 致密的低氢(H)含量的 SiN 薄膜可提供较低的湿法蚀刻率

 

   
在低应力 PECVD SiN 
中制造的悬浮 
MEMS 结构
 
 
 
图表说明了使用混合射频源的
应力控制