适用于等离子体切割的 Mosaic™ 系统

作为使用机械划片或激光的传统分离方法的可行替代方案,采用深反应离子蚀刻 (DRIE) 加工工艺的等离子切割在半导体行业迅速获得认可。

等离子切割可为用户带来众多好处

  • 更高产能,每个晶圆的裸片数量增加高达 80%
  • 更高良率,裸片的牢固度最多可提高 100%
  • 使新品布局和设计更加灵活性。

等离子体切割可以在背面研磨前进行,此时,深切割道被蚀刻到晶圆中,最后的背面研磨操作对芯片进行分离,或者可以在研磨后进行,此时会使用 深反应等离子体刻蚀(DRIE) 对安装在压胶的切割框架或载片上的薄晶圆进行蚀刻。

等离子体切割技术可以与焊料凸块和背面金属相兼容,在众多系列的切割框架和胶带上,Mosaic™ 等离子切割解决方案在标准/薄/TAIKO 晶圆和晶片上 已经成功地展示并验证了“研磨后切割”技术。

Mosaic™  System for Plasma Dicing

Mosaic™ System for Plasma Dicing

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