等离子体切割

适用于等离子体切割的 Mosaic™ 系统

作为使用机械划片或激光的传统分离方法的可行替代方案,采用深反应离子蚀刻 (DRIE) 加工工艺的等离子切割在半导体行业迅速获得认可。

等离子切割可为用户带来众多好处

  • 更高产能,每个晶圆的裸片数量增加高达 80%
  • 更高良率,裸片的牢固度最多可提高 100%
  • 使新品布局和设计更加灵活性。

等离子体切割可以在背面研磨前进行,此时,深切割道被蚀刻到晶圆中,最后的背面研磨操作对芯片进行分离,或者可以在研磨后进行,此时会使用 深反应等离子体刻蚀(DRIE) 对安装在压胶的切割框架或载片上的薄晶圆进行蚀刻。

等离子体切割技术可以与焊料凸块和背面金属相兼容,在众多系列的切割框架和胶带上,Mosaic™ 等离子切割解决方案在标准/薄/TAIKO 晶圆和晶片上 已经成功地展示并验证了“研磨后切割”技术。

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Mosaic™ 平台是配置Rapier-S 工艺模块的蚀刻系统,旨在对 200mm 以下(含 200mm)的框架晶圆进行等离子体切割,实现批量生产。较大的 Rapier-300S工艺 模块可用于300mm 框架晶圆。

  • Mosaic 平台是基于SPTS现有 平台系列的Omega、Sigma 和 Delta 产品。
  • Rapier-S/Rapier-300S工艺模块是 Rapier DRIE 产品系列的升级版,可为框架基板提供 DRIE 能力。
  • 通过 Rapier-S/Rapier-300S,可有效提高产能。得益于 Bosch 工艺的灵活性,我们能够蚀刻达到“完整晶圆厚度”且纵横比较高的狭窄切割道。

SPTS 的 Sentinel™终点检测系统(正在申请专利)一旦刻蚀到切割胶带就可以检测到,以及实时监控工艺过程中的温度异常。一旦监测到终点,可以通过修改工艺,以完成芯片分离,而不会对硅/胶带交界处的芯片侧壁造成横向损坏。这种控制可确保与现有分离方法相比,芯片强度得到增强。使用终点检测也可保护胶带,确保分离的芯片可得到安全处理,并且胶带框架可以重用。

 

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